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CSD18532Q5B

TI(德州仪器)
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制造商编号:
CSD18532Q5B
制造商:
TI(德州仪器)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON
渠道:
digikey

库存 :6210

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 29.399111 29.40
10 24.458083 244.58
100 19.462706 1946.27
500 16.468444 8234.22
1000 13.973226 13973.23

规格参数

关键信息

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 172 A

漏源电阻 3.2 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.5 V

栅极电荷 44 nC

耗散功率 156 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 3.1 ns

正向跨导(Min) 143 S

上升时间 7.2 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 22 ns

典型接通延迟时间 5.8 ns

外形参数

高度 1 mm

长度 6 mm

宽度 5 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 120.500 mg

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CSD18532Q5B

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型号:CSD18532Q5B

品牌:TI

供货:锐单

库存:6210 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥29.399111
10+: ¥24.458083
100+: ¥19.462706
500+: ¥16.468444
1000+: ¥13.973226

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