货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥29.399111 | ¥29.40 |
10 | ¥24.458083 | ¥244.58 |
100 | ¥19.462706 | ¥1946.27 |
500 | ¥16.468444 | ¥8234.22 |
1000 | ¥13.973226 | ¥13973.23 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 172 A
漏源电阻 3.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.1 ns
正向跨导(Min) 143 S
上升时间 7.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 5.8 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 120.500 mg
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0CSD18532Q5B
型号:CSD18532Q5B
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥29.399111 |
10+: | ¥24.458083 |
100+: | ¥19.462706 |
500+: | ¥16.468444 |
1000+: | ¥13.973226 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥29.40