货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.3 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 17.4 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.3 ns
上升时间 6.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 2.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
购物车
0DMN3030LFG-7
型号:DMN3030LFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00