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SIRA18ADP-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIRA18ADP-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO
渠道:
digikey

库存 :11605

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 5.055342 5.06
10 4.327866 43.28
100 3.011011 301.10
500 2.351105 1175.55
1000 1.91092 1910.92

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 30.6 A

漏源电阻 8.7 mOhms

栅极电压 - 16 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 21.5 nC

耗散功率 14.7 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 1.04 mm

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 506.600 mg

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SIRA18ADP-T1-GE3

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型号:SIRA18ADP-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:11605 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥5.055342
10+: ¥4.327866
100+: ¥3.011011
500+: ¥2.351105
1000+: ¥1.91092

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