NST65011MW6T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.656912 | ￥1970.74 |
| 6000 | ￥0.603122 | ￥3618.73 |
| 9000 | ￥0.575532 | ￥5179.79 |
| 15000 | ￥0.54428 | ￥8164.20 |
| 21000 | ￥0.525719 | ￥11040.10 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 65 V
集电极—基极电压 80 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 600 mV
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 100 MHz
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 7.500 mg
NST65011MW6T1G 同类别型号
注
NST65011MW6T1G
型号：NST65011MW6T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.656912 |
| 6000+： | ￥0.603122 |
| 9000+： | ￥0.575532 |
| 15000+： | ￥0.54428 |
| 21000+： | ￥0.525719 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00