
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.21586 | ¥647.58 |
| 6000 | ¥0.200234 | ¥1201.40 |
| 9000 | ¥0.166037 | ¥1494.33 |
| 30000 | ¥0.163088 | ¥4892.64 |
| 75000 | ¥0.146521 | ¥10989.08 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 310 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 870 pC
耗散功率 540 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN65D8LQ-7
型号:DMN65D8LQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.21586 |
| 6000+: | ¥0.200234 |
| 9000+: | ¥0.166037 |
| 30000+: | ¥0.163088 |
| 75000+: | ¥0.146521 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00