
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥0.168242 | ¥0.17 |
| 30 | ¥0.162233 | ¥4.87 |
| 100 | ¥0.156224 | ¥15.62 |
| 500 | ¥0.144207 | ¥72.10 |
| 1000 | ¥0.138199 | ¥138.20 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 200 mS
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RUM002N02
单位重量 1.500 mg
购物车
0RUM002N02T2L
型号:RUM002N02T2L
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥0.168242 |
| 30+: | ¥0.162233 |
| 100+: | ¥0.156224 |
| 500+: | ¥0.144207 |
| 1000+: | ¥0.138199 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.17