货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥2.667958 | ¥2.67 |
10 | ¥2.134367 | ¥21.34 |
100 | ¥1.133882 | ¥113.39 |
500 | ¥0.745816 | ¥372.91 |
1000 | ¥0.507156 | ¥507.16 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 310 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 870 pC
耗散功率 540 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN65D8LQ-7
型号:DMN65D8LQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2.667958 |
10+: | ¥2.134367 |
100+: | ¥1.133882 |
500+: | ¥0.745816 |
1000+: | ¥0.507156 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥2.67