
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥4.849099 | ¥4.85 |
| 10 | ¥3.00038 | ¥30.00 |
| 100 | ¥1.880542 | ¥188.05 |
| 500 | ¥1.390177 | ¥695.09 |
| 1000 | ¥1.231673 | ¥1231.67 |
| 2000 | ¥1.098018 | ¥2196.04 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 200 mS
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RUM002N02
单位重量 1.500 mg
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0RUM002N02T2L
型号:RUM002N02T2L
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥4.849099 |
| 10+: | ¥3.00038 |
| 100+: | ¥1.880542 |
| 500+: | ¥1.390177 |
| 1000+: | ¥1.231673 |
| 2000+: | ¥1.098018 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.85