货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.436649 | ¥5.44 |
10 | ¥4.633507 | ¥46.34 |
100 | ¥3.459685 | ¥345.97 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.3 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 17.4 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.3 ns
上升时间 6.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 2.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMN3030LFG-7
型号:DMN3030LFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.436649 |
10+: | ¥4.633507 |
100+: | ¥3.459685 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.44