NST65010MW6T1G
库存 ：13137
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.660323 | ￥5.66 |
| 10 | ￥3.442088 | ￥34.42 |
| 100 | ￥2.160102 | ￥216.01 |
| 500 | ￥1.604474 | ￥802.24 |
| 1000 | ￥1.424566 | ￥1424.57 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 65 V
集电极—基极电压 - 80 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 300 mV
最大直流电集电极电流 - 100 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 100 MHz
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 7.500 mg
NST65010MW6T1G 同类别型号
注
NST65010MW6T1G
型号：NST65010MW6T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：13137 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.660323 |
| 10+： | ￥3.442088 |
| 100+： | ￥2.160102 |
| 500+： | ￥1.604474 |
| 1000+： | ￥1.424566 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.66