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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥1.17957 | ¥3538.71 |
6000 | ¥1.11963 | ¥6717.78 |
9000 | ¥1.03959 | ¥9356.31 |
30000 | ¥1.015614 | ¥30468.42 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.9 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 13 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 63 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 15 mg
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0DMN3033LDM-7
型号:DMN3033LDM-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.17957 |
6000+: | ¥1.11963 |
9000+: | ¥1.03959 |
30000+: | ¥1.015614 |
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