SSVBC846BPDW1T1G
库存 ：6000
货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.983899 | ￥2951.70 |
| 6000 | ￥0.940661 | ￥5643.97 |
| 9000 | ￥0.81356 | ￥7322.04 |
| 30000 | ￥0.798234 | ￥23947.02 |
| 75000 | ￥0.661042 | ￥49578.15 |
| 150000 | ￥0.650824 | ￥97623.60 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 65 V, - 65 V
集电极—基极电压 80 V, - 80 V
发射极 - 基极电压 6 V, - 6 V
饱和电压 250 mV, - 300 mV
最大直流电集电极电流 100 mA, - 100 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 100 mA
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 475
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 6 mg
SSVBC846BPDW1T1G 同类别型号
注
SSVBC846BPDW1T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、SSVBC846BPDW1T1G
数据手册PDF。
SSVBC846BPDW1T1G
型号：SSVBC846BPDW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：6000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.983899 |
| 6000+： | ￥0.940661 |
| 9000+： | ￥0.81356 |
| 30000+： | ￥0.798234 |
| 75000+： | ￥0.661042 |
| 150000+： | ￥0.650824 |
货期：7-10天
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