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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Toshiba
商标 Toshiba
配置 Single
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 10 kOhms
典型电阻器比率 0.213
直流集电极 80
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极连续电流 - 100 mA
峰值直流集电极电流 - 100 mA
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
发射极 - 基极电压 - 6 V
最大直流电集电极电流 - 100 mA
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
单位重量 1.500 mg
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0RN2107MFV,L3F
型号:RN2107MFV,L3F
品牌:Toshiba
供货:锐单
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