SSVBC846BPDW1T1G
库存 ：8190
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.660323 | ￥5.66 |
| 10 | ￥3.503281 | ￥35.03 |
| 100 | ￥2.204468 | ￥220.45 |
| 500 | ￥1.637211 | ￥818.61 |
| 1000 | ￥1.453939 | ￥1453.94 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 65 V, - 65 V
集电极—基极电压 80 V, - 80 V
发射极 - 基极电压 6 V, - 6 V
饱和电压 250 mV, - 300 mV
最大直流电集电极电流 100 mA, - 100 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 100 mA
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 475
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 6 mg
SSVBC846BPDW1T1G 同类别型号
注
SSVBC846BPDW1T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、SSVBC846BPDW1T1G
数据手册PDF。
SSVBC846BPDW1T1G
型号：SSVBC846BPDW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：8190 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.660323 |
| 10+： | ￥3.503281 |
| 100+： | ￥2.204468 |
| 500+： | ￥1.637211 |
| 1000+： | ￥1.453939 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.66