NSS35200CF8T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.49108 | ￥7473.24 |
| 6000 | ￥2.372451 | ￥14234.71 |
| 9000 | ￥2.262977 | ￥20366.79 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 35 V
集电极—基极电压 - 55 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 - 0.3 V
最大直流电集电极电流 2 A
耗散功率 635 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 - 2 A
技术 Si
外形参数
高度 1.05 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
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注
NSS35200CF8T1G
型号：NSS35200CF8T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥2.49108 |
| 6000+： | ￥2.372451 |
| 9000+： | ￥2.262977 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00