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SQD97N06-6M3L_GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SQD97N06-6M3L_GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 19.610132 19.61
10 17.615309 176.15
100 14.162123 1416.21
500 11.635121 5817.56
1000 9.972994 9972.99

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 97 A

漏源电阻 5 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.5 V

栅极电荷 125 nC

耗散功率 136 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 7 ns

正向跨导(Min) 177 S

上升时间 5 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 41 ns

典型接通延迟时间 14 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 330 mg

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SQD97N06-6M3L_GE3

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型号:SQD97N06-6M3L_GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥19.610132
10+: ¥17.615309
100+: ¥14.162123
500+: ¥11.635121
1000+: ¥9.972994

货期:7-10天

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