货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥19.342993 | ¥19.34 |
10 | ¥17.391193 | ¥173.91 |
100 | ¥13.976959 | ¥1397.70 |
500 | ¥11.483438 | ¥5741.72 |
1000 | ¥9.514786 | ¥9514.79 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 96 A
漏源电阻 7.35 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 31 nC
耗散功率 188 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 72 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDP085N10A_F102
单位重量 2 g
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0FDP085N10A-F102
型号:FDP085N10A-F102
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.342993 |
10+: | ¥17.391193 |
100+: | ¥13.976959 |
500+: | ¥11.483438 |
1000+: | ¥9.514786 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.34