货期:(7~10天)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥8.619192 | ¥21547.98 |
5000 | ¥7.835573 | ¥39177.86 |
12500 | ¥7.473911 | ¥93423.89 |
25000 | ¥7.232846 | ¥180821.15 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 6.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 90 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM089N08LCR
单位重量 372.608 mg
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0TSM089N08LCR RLG
型号:TSM089N08LCR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥8.619192 |
5000+: | ¥7.835573 |
12500+: | ¥7.473911 |
25000+: | ¥7.232846 |
货期:7-10天
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