
货期:(7~10天)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥9.882555 | ¥24706.39 |
| 5000 | ¥8.984075 | ¥44920.38 |
| 12500 | ¥8.569403 | ¥107117.54 |
| 25000 | ¥8.293005 | ¥207325.13 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 6.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 90 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM089N08LCR
单位重量 372.608 mg
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0TSM089N08LCR RLG
型号:TSM089N08LCR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥9.882555 |
| 5000+: | ¥8.984075 |
| 12500+: | ¥8.569403 |
| 25000+: | ¥8.293005 |
货期:7-10天
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