货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥22.809745 | ¥22.81 |
10 | ¥20.387096 | ¥203.87 |
25 | ¥19.352865 | ¥483.82 |
100 | ¥14.513232 | ¥1451.32 |
250 | ¥14.374956 | ¥3593.74 |
500 | ¥12.301678 | ¥6150.84 |
1000 | ¥10.020988 | ¥10020.99 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 6.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 90 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM089N08LCR
单位重量 372.608 mg
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0TSM089N08LCR RLG
型号:TSM089N08LCR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
1+: | ¥22.809745 |
10+: | ¥20.387096 |
25+: | ¥19.352865 |
100+: | ¥14.513232 |
250+: | ¥14.374956 |
500+: | ¥12.301678 |
1000+: | ¥10.020988 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.81