货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.893198 | ¥19.89 |
10 | ¥17.780318 | ¥177.80 |
25 | ¥16.878329 | ¥421.96 |
100 | ¥12.657511 | ¥1265.75 |
250 | ¥12.536916 | ¥3134.23 |
500 | ¥10.728736 | ¥5364.37 |
1000 | ¥8.739664 | ¥8739.66 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 6.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 90 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM089N08LCR
单位重量 372.608 mg
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0TSM089N08LCR RLG
型号:TSM089N08LCR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.893198 |
10+: | ¥17.780318 |
25+: | ¥16.878329 |
100+: | ¥12.657511 |
250+: | ¥12.536916 |
500+: | ¥10.728736 |
1000+: | ¥8.739664 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.89