TSM089N08LCR RLG
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- 制造商编号：
- TSM089N08LCR RLG
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN
- 渠道：
- digikey
库存 ：2583
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 6.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 90 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM089N08LCR
单位重量 372.608 mg
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注
TSM089N08LCR RLG品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TSM089N08LCR RLG
数据手册PDF。
TSM089N08LCR RLG
型号：TSM089N08LCR RLG
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：2583 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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