货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥49.053414 | ¥49.05 |
10 | ¥44.012156 | ¥440.12 |
25 | ¥41.610145 | ¥1040.25 |
100 | ¥33.288364 | ¥3328.84 |
250 | ¥31.438667 | ¥7859.67 |
500 | ¥29.589217 | ¥14794.61 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 125 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 120 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 18 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPDD60R125G7 SP001632876
单位重量 761.720 mg
购物车
0IPDD60R125G7XTMA1
型号:IPDD60R125G7XTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥49.053414 |
10+: | ¥44.012156 |
25+: | ¥41.610145 |
100+: | ¥33.288364 |
250+: | ¥31.438667 |
500+: | ¥29.589217 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥49.05