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R6009ENX

ROHM(罗姆)
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制造商编号:
R6009ENX
制造商:
ROHM(罗姆)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 23.167583 23.17
10 20.77932 207.79
100 17.025314 1702.53
500 14.493039 7246.52
1000 12.223045 12223.05

规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 9 A

漏源电阻 500 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 23 nC

耗散功率 48 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 30 ns

上升时间 35 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 75 ns

典型接通延迟时间 25 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 2 g

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R6009ENX

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型号:R6009ENX

品牌:ROHM

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥23.167583
10+: ¥20.77932
100+: ¥17.025314
500+: ¥14.493039
1000+: ¥12.223045

货期:1-2天

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