货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥23.167583 | ¥23.17 |
10 | ¥20.77932 | ¥207.79 |
100 | ¥17.025314 | ¥1702.53 |
500 | ¥14.493039 | ¥7246.52 |
1000 | ¥12.223045 | ¥12223.05 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 500 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0R6009ENX
型号:R6009ENX
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥23.167583 |
10+: | ¥20.77932 |
100+: | ¥17.025314 |
500+: | ¥14.493039 |
1000+: | ¥12.223045 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥23.17