
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥73.125257 | ¥73.13 |
| 10 | ¥48.5105 | ¥485.11 |
| 100 | ¥34.531031 | ¥3453.10 |
| 500 | ¥28.56964 | ¥14284.82 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 125 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 120 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 18 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPDD60R125G7 SP001632876
单位重量 761.720 mg
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0IPDD60R125G7XTMA1
型号:IPDD60R125G7XTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥73.125257 |
| 10+: | ¥48.5105 |
| 100+: | ¥34.531031 |
| 500+: | ¥28.56964 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥73.13