
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥26.366972 | ¥26.37 |
| 10 | ¥16.77485 | ¥167.75 |
| 100 | ¥11.245363 | ¥1124.54 |
| 500 | ¥8.875973 | ¥4437.99 |
| 1000 | ¥8.113753 | ¥8113.75 |
| 2000 | ¥8.054353 | ¥16108.71 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 42 A
漏源电阻 13.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 21 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC160N10NS3 G SP000482382
单位重量 300 mg
购物车
0BSC160N10NS3GATMA1
型号:BSC160N10NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥26.366972 |
| 10+: | ¥16.77485 |
| 100+: | ¥11.245363 |
| 500+: | ¥8.875973 |
| 1000+: | ¥8.113753 |
| 2000+: | ¥8.054353 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥26.37