IPP65R190E6XKSA1
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- 制造商编号：
- IPP65R190E6XKSA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
- 渠道：
- digikey
库存 ：4
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥46.703701 | ￥46.70 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 20.2 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 73 nC
耗散功率 151 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 112 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP65R190E6 SP000849876
单位重量 2 g
IPP65R190E6XKSA1 同类别型号
注
IPP65R190E6XKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPP65R190E6XKSA1
数据手册PDF
。
IPP65R190E6XKSA1
型号：IPP65R190E6XKSA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：4 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥46.703701 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥46.70