
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥4.539094 | ¥4.54 |
| 10 | ¥3.727559 | ¥37.28 |
| 100 | ¥1.975194 | ¥197.52 |
| 500 | ¥1.299833 | ¥649.92 |
| 1000 | ¥0.883886 | ¥883.89 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 230 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 -
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15.2 ns
正向跨导(Min) 242 mS
上升时间 7.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.4 ns
典型接通延迟时间 3.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 mg
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0DMN26D0UT-7
型号:DMN26D0UT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥4.539094 |
| 10+: | ¥3.727559 |
| 100+: | ¥1.975194 |
| 500+: | ¥1.299833 |
| 1000+: | ¥0.883886 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.54