货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.195791 | ¥17.20 |
10 | ¥14.018309 | ¥140.18 |
100 | ¥10.904375 | ¥1090.44 |
500 | ¥9.243112 | ¥4621.56 |
1000 | ¥7.529389 | ¥7529.39 |
2000 | ¥7.088032 | ¥14176.06 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 42 A
漏源电阻 13.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 21 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC160N10NS3 G SP000482382
单位重量 300 mg
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0BSC160N10NS3GATMA1
型号:BSC160N10NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.195791 |
10+: | ¥14.018309 |
100+: | ¥10.904375 |
500+: | ¥9.243112 |
1000+: | ¥7.529389 |
2000+: | ¥7.088032 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.20