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制造商 CEL
商标 CEL
晶体管类型 Bipolar
技术 Si
晶体管极性 NPN
击穿电压(集电极-发射极) 12 V
发射极 - 基极电压 3 V
集电极连续电流 0.1 A
配置 Single
耗散功率 200 mW (1/5 W)
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 RF Bipolar Small Signal
零件号别名 2SC4093-T1-A
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0NE85639-T1-A
型号:NE85639-T1-A
品牌:CEL
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