货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥7.907855 | ¥7.91 |
10 | ¥6.783457 | ¥67.83 |
25 | ¥6.331226 | ¥158.28 |
100 | ¥4.705174 | ¥470.52 |
250 | ¥4.469422 | ¥1117.36 |
500 | ¥3.673446 | ¥1836.72 |
1000 | ¥2.985709 | ¥2985.71 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.1 A
漏源电阻 225 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 3 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.21 ns
上升时间 5.21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.47 ns
典型接通延迟时间 2.49 ns
高度 1.3 mm
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 15 mg
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0ZXMN2A01E6TA
型号:ZXMN2A01E6TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.907855 |
10+: | ¥6.783457 |
25+: | ¥6.331226 |
100+: | ¥4.705174 |
250+: | ¥4.469422 |
500+: | ¥3.673446 |
1000+: | ¥2.985709 |
货期:7-10天
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