
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.349865 | ¥1049.60 |
| 6000 | ¥0.304204 | ¥1825.22 |
| 15000 | ¥0.258604 | ¥3879.06 |
| 30000 | ¥0.243364 | ¥7300.92 |
| 75000 | ¥0.228182 | ¥17113.65 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 600 pC
耗散功率 520 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 2.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN53D0U-7
型号:DMN53D0U-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.349865 |
| 6000+: | ¥0.304204 |
| 15000+: | ¥0.258604 |
| 30000+: | ¥0.243364 |
| 75000+: | ¥0.228182 |
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