
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.306563 | ¥5.31 |
| 50 | ¥4.380863 | ¥219.04 |
| 100 | ¥3.179811 | ¥317.98 |
| 500 | ¥2.656702 | ¥1328.35 |
| 1000 | ¥2.261068 | ¥2261.07 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 3.3 A
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 8.2 nC
耗散功率 36 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.9 ns
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 8.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF610PBF-BE3
单位重量 2 g
购物车
0IRF610PBF
型号:IRF610PBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.306563 |
| 50+: | ¥4.380863 |
| 100+: | ¥3.179811 |
| 500+: | ¥2.656702 |
| 1000+: | ¥2.261068 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥5.31