
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.297236 | ¥891.71 |
| 6000 | ¥0.269647 | ¥1617.88 |
| 9000 | ¥0.255441 | ¥2298.97 |
| 15000 | ¥0.239342 | ¥3590.13 |
| 21000 | ¥0.229746 | ¥4824.67 |
制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 265 mA
漏源电阻 2.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 490 pC
耗散功率 402 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.1 ns
上升时间 8.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel Trench MOSFET
典型关闭延迟时间 12.5 ns
典型接通延迟时间 7.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 934068054215
单位重量 8 mg
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0BSN20BKR
型号:BSN20BKR
品牌:Nexperia
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.297236 |
| 6000+: | ¥0.269647 |
| 9000+: | ¥0.255441 |
| 15000+: | ¥0.239342 |
| 21000+: | ¥0.229746 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00