
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥3.939892 | ¥3.94 |
| 10 | ¥2.439702 | ¥24.40 |
| 100 | ¥1.51989 | ¥151.99 |
| 500 | ¥1.116809 | ¥558.40 |
| 1000 | ¥0.986186 | ¥986.19 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 400 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 -
耗散功率 430 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.29 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 3.15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.025 ns
典型接通延迟时间 3.27 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
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0DMN65D8LFB-7
型号:DMN65D8LFB-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥3.939892 |
| 10+: | ¥2.439702 |
| 100+: | ¥1.51989 |
| 500+: | ¥1.116809 |
| 1000+: | ¥0.986186 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.94