货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥25.793688 | ¥25.79 |
10 | ¥21.432436 | ¥214.32 |
100 | ¥17.062463 | ¥1706.25 |
500 | ¥15.40444 | ¥7702.22 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 29 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD200N15N3 G SP001127820
单位重量 330 mg
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0IPD200N15N3GATMA1
型号:IPD200N15N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥25.793688 |
10+: | ¥21.432436 |
100+: | ¥17.062463 |
500+: | ¥15.40444 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥25.79