
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥3.824543 | ¥3.82 |
| 10 | ¥2.355918 | ¥23.56 |
| 100 | ¥1.460976 | ¥146.10 |
| 500 | ¥1.07179 | ¥535.89 |
| 1000 | ¥0.945886 | ¥945.89 |
制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 265 mA
漏源电阻 2.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 490 pC
耗散功率 402 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.1 ns
上升时间 8.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel Trench MOSFET
典型关闭延迟时间 12.5 ns
典型接通延迟时间 7.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 934068054215
单位重量 8 mg
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0BSN20BKR
型号:BSN20BKR
品牌:Nexperia
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥3.824543 |
| 10+: | ¥2.355918 |
| 100+: | ¥1.460976 |
| 500+: | ¥1.07179 |
| 1000+: | ¥0.945886 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.82