货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥2.96781 | ¥8903.43 |
6000 | ¥2.819381 | ¥16916.29 |
15000 | ¥2.71343 | ¥40701.45 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 23.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 14 nC
耗散功率 18 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 36 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SQS420EN-T1_GE3
型号:SQS420EN-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.96781 |
6000+: | ¥2.819381 |
15000+: | ¥2.71343 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00