货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.485859 | ¥4.49 |
10 | ¥3.10272 | ¥31.03 |
100 | ¥1.511486 | ¥151.15 |
500 | ¥1.261026 | ¥630.51 |
1000 | ¥0.876114 | ¥876.11 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 150 mA
漏源电阻 4.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 1.5 nC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20.5 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 16.2 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 8.6 ns
典型接通延迟时间 6.7 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS84PW H6327 SP000917564
单位重量 6 mg
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0BSS84PWH6327XTSA1
型号:BSS84PWH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.485859 |
10+: | ¥3.10272 |
100+: | ¥1.511486 |
500+: | ¥1.261026 |
1000+: | ¥0.876114 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.49