
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥15.732094 | ¥15.73 |
| 10 | ¥14.08802 | ¥140.88 |
| 100 | ¥10.986954 | ¥1098.70 |
| 500 | ¥9.076427 | ¥4538.21 |
| 1000 | ¥7.165615 | ¥7165.61 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 1.7 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 24 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD80R2K0P7 SP001634906
单位重量 360 mg
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0IPD80R2K0P7ATMA1
型号:IPD80R2K0P7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥15.732094 |
| 10+: | ¥14.08802 |
| 100+: | ¥10.986954 |
| 500+: | ¥9.076427 |
| 1000+: | ¥7.165615 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.73