货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.235204 | ¥3705.61 |
6000 | ¥1.172392 | ¥7034.35 |
9000 | ¥1.088619 | ¥9797.57 |
30000 | ¥1.063494 | ¥31904.82 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 10.5 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN3033LSNQ-7
型号:DMN3033LSNQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.235204 |
6000+: | ¥1.172392 |
9000+: | ¥1.088619 |
30000+: | ¥1.063494 |
货期:1-2天
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