VT6X1T2R
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 20 V
集电极—基极电压 20 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 120 mV
最大直流电集电极电流 200 mA
耗散功率 150 mW
增益带宽产品 400 MHz
集电极连续电流 200 mA
直流集电极 120
直流电流增益（Max） 560
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 VT6X1
VT6X1T2R 同类别型号
注
VT6X1T2R品牌厂家：ROHM
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、VT6X1T2R
数据手册PDF。
VT6X1T2R
型号：VT6X1T2R
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
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