货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥7.28667 | ¥7.29 |
10 | ¥6.22939 | ¥62.29 |
100 | ¥4.333426 | ¥433.34 |
500 | ¥3.383302 | ¥1691.65 |
1000 | ¥2.750076 | ¥2750.08 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 10.5 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN3033LSNQ-7
型号:DMN3033LSNQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.28667 |
10+: | ¥6.22939 |
100+: | ¥4.333426 |
500+: | ¥3.383302 |
1000+: | ¥2.750076 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.29