VT6Z1T2R
库存 ：15867
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.625355 | ￥6.63 |
| 10 | ￥4.969017 | ￥49.69 |
| 100 | ￥3.095366 | ￥309.54 |
| 500 | ￥2.117994 | ￥1059.00 |
| 1000 | ￥1.629307 | ￥1629.31 |
| 2000 | ￥1.466456 | ￥2932.91 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 20 V, - 20 V
集电极—基极电压 20 V, - 20 V
发射极 - 基极电压 5 V, - 5 V
饱和电压 120 mV, - 120 mV
最大直流电集电极电流 400 mA, - 400 mA
耗散功率 150 mW
增益带宽产品 400 MHz, 350 MHz
集电极连续电流 200 mA
直流集电极 120
直流电流增益（Max） 560
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 VT6Z1
VT6Z1T2R 同类别型号
注
VT6Z1T2R品牌厂家：ROHM
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、VT6Z1T2R
数据手册PDF。
VT6Z1T2R
型号：VT6Z1T2R
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：15867 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.625355 |
| 10+： | ￥4.969017 |
| 100+： | ￥3.095366 |
| 500+： | ￥2.117994 |
| 1000+： | ￥1.629307 |
| 2000+： | ￥1.466456 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.63