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制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 26 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 1.79 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 107 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 227 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 1.11 mm
长度 3 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF7726TRPBF SP001554380
单位重量 191.170 mg
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0IRF7726TRPBF
型号:IRF7726TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
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