
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.403138 | ¥21.40 |
| 50 | ¥16.975106 | ¥848.76 |
| 100 | ¥14.550597 | ¥1455.06 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 46 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 73 nC
耗散功率 46 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 26 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFI4229PBF SP001575824
单位重量 2 g
购物车
0IRFI4229PBF
型号:IRFI4229PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.403138 |
| 50+: | ¥16.975106 |
| 100+: | ¥14.550597 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥21.40