
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥1.116518 | ¥1.12 |
| 10 | ¥0.827048 | ¥8.27 |
| 30 | ¥0.773897 | ¥23.22 |
| 100 | ¥0.720677 | ¥72.07 |
| 500 | ¥0.6971 | ¥348.55 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 10.5 A
漏源电阻 9.3 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 45.6 nC
耗散功率 660 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10.9 ns
上升时间 16.8 ns
典型关闭延迟时间 43.6 ns
典型接通延迟时间 7.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.750 mg
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0DMN2015UFDE-7
型号:DMN2015UFDE-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥1.116518 |
| 10+: | ¥0.827048 |
| 30+: | ¥0.773897 |
| 100+: | ¥0.720677 |
| 500+: | ¥0.6971 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥1.12