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DMN2015UFDE-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN2015UFDE-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 1.36551 1.37
10 1.011486 10.11
30 0.946481 28.39
100 0.881394 88.14
500 0.852559 426.28

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 10.5 A

漏源电阻 9.3 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 500 mV

栅极电荷 45.6 nC

耗散功率 660 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 10.9 ns

上升时间 16.8 ns

典型关闭延迟时间 43.6 ns

典型接通延迟时间 7.4 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 6.750 mg

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DMN2015UFDE-7

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型号:DMN2015UFDE-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥1.36551
10+: ¥1.011486
30+: ¥0.946481
100+: ¥0.881394
500+: ¥0.852559

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