
货期:(7~10天)
起订量:10
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ¥0.478021 | ¥4.78 |
| 100 | ¥0.3664 | ¥36.64 |
| 300 | ¥0.345898 | ¥103.77 |
| 1000 | ¥0.325394 | ¥325.39 |
| 5000 | ¥0.316283 | ¥1581.41 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMN601WK-7
型号:DMN601WK-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 10+: | ¥0.478021 |
| 100+: | ¥0.3664 |
| 300+: | ¥0.345898 |
| 1000+: | ¥0.325394 |
| 5000+: | ¥0.316283 |
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