
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.850165 | ¥2550.49 |
| 6000 | ¥0.784064 | ¥4704.38 |
| 9000 | ¥0.750161 | ¥6751.45 |
| 15000 | ¥0.714238 | ¥10713.57 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 148 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 2.5 nC
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 P-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0NVR1P02T1G
型号:NVR1P02T1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.850165 |
| 6000+: | ¥0.784064 |
| 9000+: | ¥0.750161 |
| 15000+: | ¥0.714238 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00