
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ¥2.309002 | ¥2309.00 |
| 2000 | ¥2.112844 | ¥4225.69 |
| 3000 | ¥2.012777 | ¥6038.33 |
| 5000 | ¥1.900209 | ¥9501.05 |
| 7000 | ¥1.833539 | ¥12834.77 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 240 V
漏极电流 350 mA
漏源电阻 6.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 35 ns
正向跨导(Min) 180 mS
上升时间 4.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 4.4 ns
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSP129 H6327 SP001058580
单位重量 112 mg
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0BSP129H6327XTSA1
型号:BSP129H6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1000+: | ¥2.309002 |
| 2000+: | ¥2.112844 |
| 3000+: | ¥2.012777 |
| 5000+: | ¥1.900209 |
| 7000+: | ¥1.833539 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00