
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥62.129069 | ¥62.13 |
| 10 | ¥40.899111 | ¥408.99 |
| 100 | ¥28.790005 | ¥2879.00 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 188 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 116 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 6 ns
开发套件 BOOSTXL-DRV8305EVM, DRV8704EVM
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 24 mg
购物车
0CSD18540Q5BT
型号:CSD18540Q5BT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥62.129069 |
| 10+: | ¥40.899111 |
| 100+: | ¥28.790005 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥62.13