货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.660733 | ¥7.66 |
10 | ¥6.783456 | ¥67.83 |
100 | ¥5.199413 | ¥519.94 |
500 | ¥4.110108 | ¥2055.05 |
1000 | ¥3.28806 | ¥3288.06 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 18.1 A
漏源电阻 8.7 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 68.8 nC
耗散功率 2.27 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
上升时间 25.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 114 ns
典型接通延迟时间 12.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMN2005UFG-13
型号:DMN2005UFG-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.660733 |
10+: | ¥6.783456 |
100+: | ¥5.199413 |
500+: | ¥4.110108 |
1000+: | ¥3.28806 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.66